Osaka kentinde çalışan araştırmacılar, geleneksel rastgele erişimli bellek (RAM) türlerinin sınırlamalarını aşmayı hedefleyen pek çok yeni bellek teknolojisi arasından öne çıkan Magnetorezistif RAM (MRAM) üzerine yoğunlaşmaktadır. MRAM, uçucu olmayan (İng: non-volatile) yapısı, yüksek hızı, geniş depolama kapasitesi ve uzun süreli kullanım ömrü (dayanıklılık) sayesinde, bilgisayar belleklerinde devrim niteliğinde bir çözüm sunmaktadır. Bununla birlikte, MRAM cihazlarında kaydedilen önemli ilerlemelere rağmen veri yazma sırasında enerji tüketiminin azaltılması aşılması, gereken önemli bir sorundur.
Çalışmalarını Advanced Science dergisinde yayınlayan bilim insanları, söz konusu sorunu çözmek için yeni bir teknoloji geliştirmektedir. Önerdikleri teknoloji, mevcut akım tabanlı yaklaşıma kıyasla daha düşük enerji tüketimine sahip "elektrik alanı tabanlı" bir yazma yöntemi kullanarak geleneksel RAM'lere bir alternatif sunuyor. Bu yöntemde elektrik alanıyla veri yazımı hedeflendiği için günümüzdeki akım tabanlı (İng: "current-based") veri yazma yöntemine kıyasla çok daha düşük enerji tüketimi sunmaktadır.