Osaka'daki araştırmacılar, yüksek akım kaynaklı ısınma sorununu aşmak için MRAM teknolojisinde elektrik alanıyla veri yazma yöntemini geliştiriyor. Bu yenilik sayesinde manyetizasyon vektörlerini düşük enerji harcayarak değiştirmek mümkün oluyor. Araya eklenen ultra-ince vanadyum katmanı, kararlı bir manyetik anizotropi sunarak ters manyetoelektrik etkisini güçlendiriyor. Böylece sıfır elektrik alanında iki kararlı manyetik durum elde edilebiliyor; bu da uçucu olmayan, az enerji tüketen bir bellek devriminin habercisi.
337 görüntülenme
/profile/bfe51ebc-c64a-4f29-b524-5461630ede50.jpeg){kind=small}
/post/9a637115-01b4-4924-ad25-fe3b1d7c54fc.png)